研究发现:100nm蓝宝石纳米薄膜可实现更高效的Micro LED

By | 2020年7月25日

  据报导,韩国首尔国立年夜学(SNU)的钻研团队胜利正在100nm的蓝宝石纳米薄膜上成长出Micro LED阵列。

  据论文显示,SNU的资料迷信以及工程系团队设计出一种蓝宝石纳米薄膜阵列,用于成长尺寸为4μm × 16μm的Micro
LED阵列。这类办法无需通过等离子蚀刻工艺就可以完成Micro LED芯片的单片化,提供更高的外量子效率(EQE)。


图片起源: 《迷信陈诉》/SNU

  相比正在立体基板上成长的氮化镓基Micro LED,正在蓝宝石纳米薄膜上成长Micro LED的新办法将Micro
LED的位错密度升高了59.6%,内量子效率(IQE)进步了44%。别的,由此办法成长出的Micro LED的光致发光才能是前者的3.3倍。

  同时,还能够经过机器力毁坏蓝宝石纳米薄膜,因而,可随意马虎将Micro LED与基板别离并转移至显示驱动背板上,简化了制程,升高了老本。

  钻研团队以为,此技巧打破克服了现阶段Micro LED制作工艺的局限,将放慢Micro LED显示技巧的贸易化过程。

  据悉,钻研后果已宣布正在《迷信陈诉》(Scientific Reports)杂志上。除了了SNU钻研者之外,三星尖端技巧钻研院(Samsung
Advanced Institute of Technology)、韩国迷信技巧院(KAIST)和韩国光子技巧钻研所(Korea Photonics
Institute)也参加了这项技巧钻研,并取得三星将来技巧推行中心(Samsung Future Technology Promotion
Center)、韩国教育部BK21 Plus名目及韩国钻研基金会(Korea Research Foundation)的支持。

编纂:严志祥

起源:LEDinside编译